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SQR50N03-06P
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V)
R DS(on) ( ? ) at V GS = 10 V
R DS(on) ( ? ) at V GS = 4.5 V
I D (A)
Configuration
TO-252
Reverse Lead DPAK
Drain Connected to Tab
G
30
0.0060
0.0085
50
Single
D
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? AEC-Q101 Qualified
? 100 % R g and UIS Tested
? Material categorization: ?
For definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
G
D
S
S
Top View
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
N-Channel MOSFET
TO-252 Reverse Lead DPAK
SQR50N03-06P-GE3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
SYMBOL
V DS
V GS
LIMIT
30
± 20
UNIT
V
Continuous Drain Current a
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I D
50
50
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
Pulsed Drain Current b
I S
I DM
50
200
A
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I AS
E AS
P D
T J , T stg
45
101
83
27
- 55 to + 175
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case (Drain)
PCB Mount c
R thJA
R thJC
50
1.8
°C/W
Notes
a. Package limited.
b. Pulse test; pulse width ? 300 μs, duty cycle ? 2 %.
c. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
S12-2198-Rev. C, 24-Sep-12
1
Document Number: 69061
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com
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